トンネル電界効果トランジスタ市場は、製品タイプ別(横方向トンネル、垂直方向トンネル)、エンドユーザー別(民生用電子機器、自動車、産業、航空宇宙・防衛、その他)、地域別(北米、欧州、アジア太平洋、中南米、中東・アフリカ)に分類されます - 2024-2033年の世界市場分析、動向、機会、予測

  • 発行日: September, 2024
  • レポート形式 : pdf
  • 基準年: 2023
  • レポートID: 1037217
  • Historical Data: 2019-2022
  • カテゴリー: 半導体・エレクトロニクス

トンネル電界効果トランジスタ市場概要

トンネル電界効果トランジスタは、その低消費電力アプリケーション、ユニークな動作メカニズム、高いエネルギー効率の可能性から人気を集めている実験的なタイプのトランジスタで、その構造は金属酸化物半導体電界効果トランジスタに似ていますが、基本的なスイッチングメカニズムは異なります。その基本的なスイッチング・メカニズムにより、このデバイスは低消費電力の電子機器に適しており、バンド間トンネリングの原理で動作します。人工知能の開発は、特定の予測期間中に市場の成長を促進すると予測される主な要因の1つです。STMicroelectronics、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company、Samsung Electronicsは、トンネル電界効果トランジスタ市場における重要な企業の1つです。

トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場規模は、2024年に11億2000万米ドルとなった。同市場は2024年から2033年にかけて年平均成長率11.2%で成長し、2033年末には34億8000万米ドルに達すると予測されている。



トンネル電界効果トランジスタ市場の牽引役 - アナリストの見解

SurveyReports.jpのアナリストによると、トンネル電界効果トランジスタ市場の主な成長要因は以下の通りです:

  • 半導体産業の成長トンネル電界効果トランジスタは、その高いエネルギー効率と低消費電力アプリケーションの可能性から、電子機器において重要な役割を果たしています。トンネル電界効果トランジスタのこれらの特徴は、電子機器での利用を高め、その性能を向上させます。半導体産業の成長が市場の成長を牽引。
  • 政府の支援政策:半導体エコシステム全体の構築の重要性に対する政府の注目の高まりは、電子機器の生産に好影響を与え、電子機器の採用を増加させる可能性があります。このように、政府支援イニシアチブは電子機器の採用増加につながり、これが最終的に市場成長を促進します。
  • 研究開発活動の活発化:トンネル電界効果トランジスタ市場の研究開発活動は、その全体的な性能を向上させ、民生用電子機器への採用を増やすことにつながります。そのため、研究開発活動の活発化は、特定の予測期間中に市場の成長を促進することにつながります。

トンネル電界効果トランジスタ市場:レポート範囲

基準年

     2024

予想年

     2024-2033

CAGR値

     14.7%

セグメンテーション

  • 製品タイプ別
  • エンドユーザー別
  • 地域別

課題

  • 認識不足
  • 高い製造コスト

成長ドライバー

  • 半導体産業の成長
  • 政府の支援政策
  • 研究開発活動の増加

成長するトンネル電界効果トランジスタの市場動向を阻害する要因とは

当社の分析によると、トンネル電界効果トランジスタの世界市場の成長を制限すると予想される課題には次のようなものがあります:

  • 認識不足:ほとんどの消費者は、トンネル電界効果トランジスタ市場の利点について認識していません。消費者の間でトンネル電界効果トランジスタの利点や機能についての認識を高めることは、市場にとって非常に重要であり、また難しいことでもあります。認知度の欠如は市場の成長を妨げる可能性があります。
  • 高い製造コスト:トンネル電界効果トランジスタ市場の生産には高い投資が不可欠です。多くの中小メーカーは、生産にそれだけの投資をする余裕がありません。そのため、高い製造コストは特定の予測期間中の市場成長を妨げる可能性があります。

トンネル電界効果トランジスタの市場区分は

当社の業界専門家は、トンネル電界効果トランジスタ市場を以下のように区分しています:

  • 製品タイプ別
    • 側方トンネル掘削、垂直トンネル掘削
  • エンドユーザー別
    • 家電、自動車、産業、航空宇宙・防衛、その他
  • 地域別
    • 北米、欧州、アジア太平洋、中南米、中東&アフリカ

これらの研究で考慮されるスケジュールは以下の通り:

  • 2024 - 基準年
  • 2024
  • 2024-2033 -予測期間

トンネル電界効果トランジスタ市場の地域別概要

北米のトンネル電界効果トランジスタ市場を牽引すると予想される主な要因の1つは、自動車産業と家電産業の存在感の大きさです。このほか、技術の発展、次世代スマートフォンの採用拡大、投資の増加、原材料や設備の入手可能性も、この地域の市場成長を後押しすると予測されています。

一方、可処分所得の高さ、研究開発活動の活発化、費用対効果の高い労働力、電子機器に対する消費者の需要の高まりなどは、アジア太平洋地域の市場を押し上げると予測される要因のひとつです。


トンネル電界効果トランジスタ市場の主要プレーヤー

トンネル電界効果トランジスタ市場の主なプレーヤーは以下の通りです:

  • アイビーエム
  • インテル コーポレーション
  • グローバルファウンドリーズ
  • STマイクロエレクトロニクス
  • 台湾半導体製造会社
  • サムスン電子
  • クアルコム
  • 応用マテリアル
  • 東芝
  • エヌビディア
  • テキサス・インスツルメンツ
  • NXPセミコンダクターズ
  • マイクロンテクノロジー
  • インフィニオン・テクノロジーズ
  • アナログ機器
  • オン・セミコンダクター
  • ルネサス エレクトロニクス
  • クリー社
  • シノプシス
  • ケイデンス・デザイン・システムズ
  • Qorvo, Inc.
  • アドバンスト・リニア・デバイス社
  • フェアチャイルドセミコンダクターインターナショナル
  • Qorvo, Inc.
  • トーレックス・セミコンダクター

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トンネル電界効果トランジスタは、その低消費電力用途、ユニークな動作メカニズム、高いエネルギー効率の可能性から人気を集めている実験的なタイプのトランジスタで、その構造は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタに似ていますが、基本的なスイッチングメカニズムは異なります。その基本的なスイッチング・メカニズムにより、このデバイスは低消費電力の電子機器に適しており、バンド間トンネリングの原理で動作します。

トンネル電界効果トランジスタ市場の主要プレーヤーには、IBM、Intel Corporation、GLOBALFOUNDRIES、STMicroelectronics、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company、Samsung Electronicsなどがあります。

トンネル電界効果トランジスタの世界市場規模は2024年に8億6,020万ドル。同市場は2024年から2033年にかけて年平均成長率14.7%で拡大し、2033年末には3億3,950万米ドルを超える見込みです。

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