ストレージクラスメモリ市場のセグメンテーション：技術別、用途別、フォームファクター別、タイプ別、展開モデル別、ストレージ容量別、メモリタイプ別、最終用途別、地域別 ― 世界市場の分析、動向、機会および予測（2025年～2035年）
- 発行日: April, 2025
- レポート形式 : pdf
- 基準年: 2023
- レポートID: 1037901
- Historical Data: 2019-2022
- カテゴリー: 半導体・エレクトロニクス
ストレージクラスメモリ市場の概要
世界のストレージクラスメモリ市場の2025年の市場規模は78億米ドル。市場は2025年から2035年にかけて年平均成長率21.7%で拡大し、2033年末には279億米ドルを超える見込みです。
ストレージクラスメモリは、従来のRAMの高速・低レイテンシとNANDフラッシュのデータ保持能力を組み合わせたメモリ技術の一種です。データ集約型アプリケーションの需要の高まりが市場を牽引。AI、ML、ビッグデータ分析、リアルタイムIoT操作などのデータ中心技術の急速な成長が、高速で信頼性の高いメモリソリューションの需要を押し上げています。SCMは、特に金融、医療、自律走行車など、リアルタイムの意思決定に不可欠なデータ処理の高速化とレイテンシの最小化を可能にし、市場の成長を加速しています。例えば、a.シーゲイト・テクノロジー、東芝メモリ、ウェスタン・デジタル、サムスン電子、サンディスク、IBMコーポレーションなどが、ストレージ・クラス・メモリ市場の主要プレーヤーです。
日本 ストレージクラスメモリ市場の概要
日本のSCM市場は、先進的な半導体産業と強力な研究開発活動に焦点を当てています。日本企業は、ストレージクラスメモリを必要とするAI、ロボット、自動車の技術革新に多額の投資を行っており、市場を牽引しています。例えば、2024年10月、メモリソリューションの世界的リーダーであるキオクシア株式会社は、同社の研究論文が米国サンフランシスコで開催されたIEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024での発表に採択されたことを発表しました。また、日本政府によるデジタルトランスフォーメーションとスマートインフラへの取り組みが、日本におけるストレンジクラスメモリ市場の需要をさらに押し上げています。東芝メモリ株式会社、キオクシアホールディングス株式会社などは、日本のストレージクラスメモリ市場における重要なプレーヤーです。
ストレージクラスメモリ市場の牽引役 - アナリストの見解
アナリストによると、ストレージクラスメモリ市場の主な成長要因は以下の通り：
- 技術の進歩と製品の革新： メモリ技術の絶え間ない革新により、ストレージクラスメモリ製品の性能と容量が向上。大手企業は、Optaneや3D XPointなど、帯域幅とエネルギー効率を向上させた新しいタイプの不揮発性メモリを開発するため、研究開発に投資しています。このような技術革新により、ストレージ・クラス・メモリは業界全体で広く使用されるようになりました。例えば、NumemoryはNM101を発表しました。NM101は64GBのストレージクラスメモリモジュールで、Intelの現在は製造中止となっているOptaneアーキテクチャと同様の技術を使用しています。さらに、製品の進歩により、ストレージの性能が向上し、製造コストが削減され、商用市場での需要が高まっています。
- クラウドコンピューティングとハイパースケールデータセンターの進化： クラウド・コンピューティング・サービスとハイパースケール・データセンターの成長には、より高速で効率的なメモリ・アーキテクチャが必要です。SCMは、消費電力の削減、スループットの向上、永続的なストレージを提供し、クラウドプロバイダーが大量のデータを処理するために不可欠です。AWS、Google Cloud、Microsoft Azureなどの主要なクラウドサービスプロバイダーは、パフォーマンスを強化し、待ち時間を最小限に抑え、スムーズなビジネスプロセスを確保するためにSCMを模索しています。例えば、Nextworkのレポートによると、. さらに、高度なコンピューティングへのシフトもSCMのスピードと耐久性を促進し、デジタルインフラでの採用をさらに促進しています。
|
ストレージクラスメモリ市場: レポート範囲 |
|
|
レポート対象範囲 |
詳細 |
|
基準年 |
2024 |
|
予測期間 |
2025年から2035年 |
|
2035年までの市場規模 |
279億ドル |
|
2025年の市場規模 |
78億ドル |
|
2025年から2035年までの市場成長率 |
年平均成長率21.7% |
|
最大の市場 |
北米 |
|
市場セグメンテーション |
|
|
市場の課題 |
|
|
市場成長の原動力 |
|
ストレンジクラスメモリ市場のトレンドを阻害する要因は？
当社の分析によると、ストレージクラスメモリの世界市場の成長を制限すると予想される課題は以下のとおりです：
- 初期投資の高さ： 初期投資の高さ：SCM技術はNANDフラッシュやDRAMよりもかなり高価であるため、中小企業には手が届きにくい。既存システムへの統合に必要な資本支出が大きいため、ハイエンドのエンタープライズ・アプリケーションへの採用が制限され、市場成長の妨げになります。
- 互換性と統合の問題： 技術の進歩にもかかわらず、SCMは既存のメモリ・アーキテクチャやレガシー・システムとの統合という課題に直面しています。SCMの機能を活用するには、カスタマイズされたソフトウェアやハードウェアが必要になることが多く、複雑さと導入時間が増大し、市場の成長を阻害しています。
ストレングスクラスメモリ市場はどのようにセグメント化されていますか？
当社の専門家は、以下のポイントに従ってストレジクラスメモリ市場をセグメント化しています：
- 技術別
- 永続メモリ
- 不揮発性メモリー
- フラッシュメモリー
- 3D XPoint
- ストレージクラスRAM
- MRAMテクノロジー
- FRAMテクノロジー
- PCMテクノロジー
- 最終用途別
- データセンター
- エンタープライズ・ストレージ
- 自動車
- コンシューマー・エレクトロニクス
- 電気通信
- 金融サービス
- 製造業
- ヘルスケア
- 小売
- 航空宇宙・防衛
- アプリケーション別
- ビッグデータ分析
- クラウド・コンピューティング
- 人工知能
- IoTアプリケーション
- 仮想化
- 機械学習
- 自然言語処理
- フォームファクター別
- ディムス
- SSD
- PCIeカード
- 2ドライブ
- 2ドライブ
- タイプ別
- 相変化メモリ（PCM）
- 抵抗ランダム・アクセス・メモリ（RRAM）
- STT-RAM（スピン・トランスファー・トルクRAM）
- 展開モデル別
- パブリック・クラウド
- プライベート・クラウド
- ハイブリッド・クラウド
- ストレージ容量別
- 小容量ストレージクラス・メモリ
- 中容量ストレージクラス・メモリ
- 大容量ストレージクラス・メモリ
- メモリタイプ別
- ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）
- フラッシュメモリー
- 強誘電体RAM（FeRAM）
- 磁気抵抗RAM（MRAM）
- 相変化メモリー（PCM）
- 地域別
- 北米（米国、カナダ）
- ヨーロッパ（イギリス、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、イギリス、ロシア、トルコ、その他のヨーロッパ地域）
- アジア太平洋地域（中国、日本、インド、韓国、インドネシア、マレーシア、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域）
- 中南米（ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他の中南米地域）
- 中東・アフリカ（イスラエル、GCC、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東・アフリカ地域）
これらすべての調査で考慮されるタイムラインは以下の通りです：
2023 - 基準年
2024 - 推定年
2025年から2035年 - 予測期間
市場シェア上位の北米に影響を与える要因は？
米国とカナダにおけるAI、クラウドコンピューティング、ビッグデータ分析への旺盛な投資により、北米がストレストクラスメモリ市場予測で最大のシェアを占めています。例えば、Intel、IBMなどのハイテク大手が存在する米国では、メモリ技術の継続的な革新と研究開発が確実に行われています。政府の取り組みと防衛用途がSCMの採用をさらに促進。
アジア太平洋地域は、急速なデジタルトランスフォーメーション、データセンター投資の拡大、中国、韓国、台湾などの国々の強力な製造能力により、ストレジクラスメモリ市場予測における市場シェアが最も急成長しています。スマートフォン、スマート家電、IoTエコシステムに対する需要の高まりが、アジア太平洋地域におけるSCM市場の成長を後押ししています。例えば。
欧州では、AI研究、自動車技術革新、クラウドサービス導入の増加が市場を押し上げます。ドイツ、英国、フランスなどの国々は、高速コンピューティングやグリーンデータセンター構想に投資しており、市場の成長を促進しています。
中南米は、デジタルサービスへの需要の高まり、クラウド導入の増加、ブラジルやメキシコなどのインターネットインフラの改善により、市場の成長を目の当たりにしています。中東とアフリカでは、デジタル変革が徐々に受け入れられ、市場を牽引しています。また、スマートシティ構想や銀行の近代化が市場の需要を押し上げています。
ストレージクラスメモリ市場の主要プレーヤー
ストレージクラスメモリ市場の主要企業は以下の通りです：
- シーゲイト・テクノロジー
- 東芝メモリ株式会社
- ウェスタンデジタル
- サムスン電子
- サンディスク
- IBMコーポレーション
- ブロードコム
- マーベル・テクノロジー・グループ
- フュージョニオ
- エヌビディア・コーポレーション
- STマイクロエレクトロニクス
- マイクロンテクノロジー
- その他
グローバルレポートは必要ありませんか？
今すぐ国別レポートを40%割引で入手！
1. 要旨
1.1. 市場概要
1.2. 主な調査結果
1.3. 市場動向
1.4. 市場展望
2. はじめに
2.1. レポートの範囲
2.2. 調査方法
2.3. 定義と前提条件
2.4. 頭字語および略語
3. 市場ダイナミクス
3.1. 促進要因
3.2. 阻害要因
3.3. 機会
3.4. 課題
4. グローバル ストレージクラスメモリ市場
4.1. 市場概要
4.2. 市場規模と予測
4.3. 市場セグメンテーション
4.3.1. 技術別
4.3.2.エンドユース別
4.3.3.アプリケーション別
4.3.4.フォームファクター別
4.3.5. タイプ別
4.3.6.展開モデル別
4.3.7. ストレージ容量別
4.3.8.メモリタイプ別
4.3.9.地域別
5. 技術別市場区分
5.1. パーシステントメモリ
5.2. 不揮発性メモリー
5.3. フラッシュ・メモリー
5.4. 3D Xポイント
5.5. ストレージクラスRAM
5.6. MRAMテクノロジー
5.7. FRAMテクノロジー
5.8. PCMテクノロジー
6. 最終用途別市場区分
6.1. データセンター
6.2. エンタープライズ・ストレージ
6.3. 自動車
6.4. コンシューマー・エレクトロニクス
6.5. 電気通信
6.6. 金融サービス
6.7. 製造業
6.8. ヘルスケア
6.9. 小売
6.10.航空宇宙・防衛
7. 用途別市場区分
7.1. ビッグデータ分析
7.2. クラウドコンピューティング
7.3. 人工知能
7.4. IoTアプリケーション
7.5. 仮想化
7.6. 機械学習
7.7. 自然言語処理
8. フォームファクター別市場区分
8.1. ディムス
8.2. SSD
8.3. PCIe カード
8.4. U.2 ドライブ
8.5. M.2ドライブ
9. タイプ別市場区分
9.1. 相変化メモリ（PCM）
9.2. 抵抗変化メモリ（RRAM）
9.3. STT-RAM（スピントランスファートルクRAM）
10. 展開モデルによる市場区分
10.1. パブリッククラウド
10.2.プライベートクラウド
10.3.ハイブリッド・クラウド
11. ストレージ容量による市場区分
11.1. 低容量ストレージクラスメモリ
11.2. 中容量ストレージクラス・メモリー
11.3. 大容量ストレージクラス・メモリ
12. メモリタイプ別市場区分
12.1. ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）
12.2. フラッシュメモリー
12.3. 強誘電体RAM（FeRAM）
12.4. 磁気抵抗RAM (MRAM)
12.5. 相変化メモリ(PCM)
13. 地域別分析
13.1. 北米
13.1.1. 米国
13.1.1.1. 市場規模と予測
13.1.1.2. 主な動向と発展
13.1.1.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.1.2. カナダ
13.1.2.1. 市場規模および予測
13.1.2.2. 主な動向と発展
13.1.2.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.1.3. メキシコ
13.1.3.1. 市場規模および予測
13.1.3.2. 主要トレンドと動向
13.1.3.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.2. 欧州
13.2.1. イギリス
13.2.1.1. 市場規模と予測
13.2.1.2. 主要トレンドと動向
13.2.1.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.2.2. ドイツ
13.2.2.1. 市場規模および予測
13.2.2.2. 主な動向と発展
13.2.2.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.2.3. フランス
13.2.3.1. 市場規模および予測
13.2.3.2. 主な動向と発展
13.2.3.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.2.4. イタリア
13.2.4.1. 市場規模および予測
13.2.4.2. 主要トレンドと動向
13.2.4.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別市場分析
13.2.5. スペイン
13.2.5.1. 市場規模および予測
13.2.5.2. 主な動向と発展
13.2.5.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.2.6. その他のヨーロッパ
13.2.6.1. 市場規模および予測
13.2.6.2. 主な動向と発展
13.2.6.3. 技術、エンドユース、アプリケーション、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.3. アジア太平洋地域
13.3.1. 中国
13.3.1.1. 市場規模と予測
13.3.1.2. 主要トレンドと動向
13.3.1.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.3.2. 日本
13.3.2.1. 市場規模および予測
13.3.2.2. 主な動向と発展
13.3.2.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.3.3. インド
13.3.3.1. 市場規模および予測
13.3.3.2. 主な動向と発展
13.3.3.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.3.4. オーストラリア
13.3.4.1. 市場規模および予測
13.3.4.2. 主な動向と発展
13.3.4.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別市場分析
13.3.5. 韓国
13.3.5.1. 市場規模および予測
13.3.5.2. 主な動向と発展
13.3.5.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別市場分析
13.3.6. その他のアジア太平洋地域
13.3.6.1. 市場規模および予測
13.3.6.2. 主な動向と発展
13.3.6.3. 技術、エンドユース、アプリケーション、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.4. 中南米
13.4.1. ブラジル
13.4.1.1. 市場規模と予測
13.4.1.2. 主要トレンドと動向
13.4.1.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.4.2. アルゼンチン
13.4.2.1. 市場規模および予測
13.4.2.2. 主要トレンドと動向
13.4.2.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.4.3. コロンビア
13.4.3.1. 市場規模および予測
13.4.3.2. 主要トレンドと動向
13.4.3.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.4.4. その他のラテンアメリカ
13.4.4.1. 市場規模および予測
13.4.4.2. 主な動向と発展
13.4.4.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別市場分析
13.5. 中東・アフリカ
13.5.1. 南アフリカ
13.5.1.1. 市場規模と予測
13.5.1.2. 主な動向と発展
13.5.1.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.5.2. サウジアラビア
13.5.2.1. 市場規模および予測
13.5.2.2. 主な動向と発展
13.5.2.3. 技術、エンドユース、アプリケーション、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.5.3. アラブ首長国連邦
13.5.3.1. 市場規模および予測
13.5.3.2. 主な動向と発展
13.5.3.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
13.5.4. その他の中東・アフリカ地域
13.5.4.1. 市場規模および予測
13.5.4.2. 主な動向と発展
13.5.4.3. 技術、エンドユース、用途、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリタイプ別の市場分析
14. 競争環境
14.1. 市場シェア分析
14.2. 企業プロフィール
14.2.1. シーゲイト・テクノロジー
14.2.2. 東芝メモリ株式会社
14.2.3. ウェスタンデジタル
14.2.4. サムスン電子
14.2.5. サンディスク
14.2.6. IBMコーポレーション
14.2.7. ブロードコム
14.2.8. マーベル・テクノロジー・グループ
14.2.9. フュージョニオ
14.2.10. エヌビディア・コーポレーション
14.2.11. STマイクロエレクトロニクス
14.2.12. マイクロンテクノロジー
14.2.13. その他
15. 戦略的提言
16. 付録
16.1. 表一覧
16.2. 図のリスト
参考文献
世界のストレレージクラスメモリ市場の2025年の市場規模は78億米ドルでした。市場は2025年から2035年にかけて年平均成長率21.7%で拡大し、2035年末には279億米ドルを超える見込みです。
ストレージクラスメモリ市場の主要プレーヤーには、シーゲイト・テクノロジー、東芝メモリ、ウェスタン・デジタル、サムスン電子、サンディスク、IBMコーポレーションなどがあります。
年平均成長率が最も高いアジア太平洋地域が、ストレジスクラスメモリ市場で最も急成長している地域です。
テクノロジー、エンドユース、アプリケーション、フォームファクター、タイプ、展開モデル、ストレージ容量、メモリータイプ、地域が、ストリーレージクラスメモリ市場の主要セグメントです。
データ集約型アプリケーションに対する需要の高まり、技術進歩と製品革新、クラウドコンピューティングとハイパースケールデータセンターの進化は、ストレストクラスメモリ市場の成長を促進する主な要因の一部です。