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日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場概要

日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場は、2025年に1億1,560万米ドルと評価されました。同市場は2025～2035年にかけて年平均成長率（CAGR）22.8％で拡大すると予測されており、2035年末までに市場規模は7億2,550万米ドルを超えると見込まれています。

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、高電圧・高温条件下でもより効果的に制御できる先進的な半導体デバイスであり、次世代パワーエレクトロニクス分野において不可欠な存在となっています。これらは小型でありながら高性能で、高速スイッチング性能や優れた熱伝導性を活かし、電気自動車（EV）、太陽光発電、風力発電システム、産業用電源装置などで広く使用されています。Survey Reports のアナリストによると、日本におけるSiCパワーデバイス市場の成長を後押しする重要な要因の一つは、電動モビリティおよびクリーンエネルギー技術の高い採用率です。エネルギー効率の向上、排出量削減、技術革新に対する日本の強い取り組みが、メーカーおよび消費者をSiCベースのソリューションへと導いています。こうした高性能かつ省エネルギー機器への需要の高まりは、今後数年間にわたり市場成長を牽引すると予想されています。

ローム株式会社、東芝デバイス＆ストレージ株式会社、三菱電機株式会社、富士電機株式会社、ルネサス エレクトロニクス株式会社、日立パワー半導体デバイス株式会社、株式会社デンソー、豊田自動織機（半導体部門）、パナソニック セミコンダクターソリューションズ、住友電気工業株式会社などが、日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場における主要企業です。

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日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の成長要因 ― アナリストの見解

アナリストによると、日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の主な成長要因は以下のとおりです。

● 高効率な電力ソリューションに対する需要の高まり: 日本の産業、自動車、電力分野では、エネルギー効率の向上やシステムの省スペース化がより重視されています。SiCパワーデバイスは、従来のシリコンデバイスと比べて、高速スイッチング、低損失、高温耐性を実現でき、現代の高性能用途に最適なソリューションを提供します。運用コストの削減とエネルギー効率向上を目指す中で、SiCのような先進的なパワーデバイスへの需要が拡大しています。この効率性と性能重視の流れが、日本におけるSiCパワーデバイス需要を力強く押し上げています。

● EVおよび再生可能エネルギー発電分野における急速な技術進歩: 電気自動車、充電器、充電インフラ、再生可能エネルギー機器における技術進歩が、SiCパワーデバイスの需要を大きく牽引しています。高品質ウエハーの開発、高電圧対応能力の向上、優れた熱特性など、SiC技術の進展により、メーカーはより小型で高性能な電力システムの設計が可能となっています。日本はEVおよびクリーンエネルギー推進において特に積極的であり、この動きが市場成長をさらに加速させています。日本は次世代パワー半導体への投資規模が世界有数とされており、SiCデバイスは今後も高い市場成長機会を有すると考えられています。

日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場：レポート範囲
基準年の市場規模	2024
予測年の市場規模	2025-2035
年平均成長率（CAGR）	22.8%
市場セグメンテーション	タイプ別 電圧範囲別 用途別
課題	SiCデバイスの高い製造コスト サプライチェーンの問題および供給の制約
成長要因	高効率な電力ソリューションに対する需要の高まり EVおよび再生可能エネルギー発電分野における急速な技術進歩

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日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場のトレンドを阻害する可能性のある要因は何ですか？

当社の分析によると、日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の成長を制限すると予想される主な課題は以下のとおりです。

● SiCデバイスの高い製造コスト: SiCパワーデバイスは、従来のシリコン部品と比べて大幅に優れた性能を提供しますが、製造コストも非常に高いという課題があります。この高コストは、複雑な製造プロセス、SiCウエハーにおける高い欠陥率、高価な製造装置の必要性に起因しています。これらの高価格は、小規模メーカーや価格に敏感な日本の産業分野において、新技術の採用を妨げる要因となる可能性があります。半導体業界の推計によると、コスト削減は依然としてSiCの課題であり、市場のさらなる発展を一定程度制約しています。

● サプライチェーン問題および供給制限: 日本のSiCパワーデバイス市場におけるもう一つの重要な課題は、世界的に高品質なSiCウエハーの供給が限られている点です。精密製造への依存度が高い日本では、特に電気自動車（EV）や再生可能エネルギーシステム向けに必要とされる大口径ウエハーにおいて、供給のボトルネックが発生した場合に困難が生じます。サプライチェーンの混乱は、リードタイムの長期化やシステムコストの増加を引き起こす可能性があります。さらに、SiC基板は依然として供給不足の状態にあり、納期も長いため、高温・真空処理装置を用いたパワー半導体デバイス製造の本格的な普及が進みにくい状況です。

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日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場はどのようにセグメント化されていますか？

当社の専門家は、日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場を以下の区分に基づいてセグメント化しています。

● タイプ別
○ SiCディスクリートデバイス、SiCパワーモジュール

● 電圧範囲別
○ 低電圧、中電圧、高電圧

● 用途別
○ 自動車、産業、民生用電子機器、通信、エネルギー・電力、航空宇宙・防衛、医療機器

これらの調査において考慮されている期間は以下のとおりです。

2024年：基準年
2025年：推定年
2025～2035年：予測期間

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日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場における最近の動向は何ですか？

Survey Reports の専門家は、長年にわたり日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場に関連する最新動向を観察してきました。当社アナリストの市場予測分析によると、市場参加企業は新製品投入、合併・買収、提携など、さまざまな主要戦略を積極的に採用しています。

2025年9月25日、日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場を代表する企業であるローム株式会社は、インフィニオン テクノロジーズ AG と、互換性のあるSiCパワー半導体技術を共同開発するための事業提携を締結したと発表しました。この提携は、EV、再生可能エネルギー、産業用途における顧客の柔軟性向上、高電力密度の実現、ならびにイノベーションまでの時間短縮を目的としています。

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日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の主要企業

日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の主要企業は以下のとおりです。

• Rohm Semiconductor
• Toshiba Electronic Devices
• Mitsubishi Electric Corporation
• Fuji Electric Co.
• Renesas Electronics Corporation
• Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.
• Denso Corporation
• Toyota Industries Semiconductor Division
• Panasonic Semiconductor Solutions
• Sumitomo Electric Industries